Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STWA30N65DM6AG

MOSFET N-CH 650V 28A TO247

Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
STWA30N65DM6AG

STWA30N65DM6AG Hakkında

STMicroelectronics tarafından üretilen STWA30N65DM6AG, 650V drain-source gerilimi ile tasarlanmış bir N-Channel MOSFET'tir. 28A sürekli drenaj akımı kapasitesi ve 110mΩ maksimum on-direnç (Rds On) değeri ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan bu transistör, endüstriyel güç dönüştürücüleri, motor kontrol devreleri, enerji kaynakları ve yüksek gerilim anahtarlama sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında ve 284W maksimum güç tüketimi ile tasarlanmıştır. ±25V gate gerilimi toleransı ve düşük gate şarjı (46nC) hızlı anahtarlama işlemlerine olanak tanır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 28A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2000 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 284W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110mOhm @ 14A, 10V
Supplier Device Package TO-247 Long Leads
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.75V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok