Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STW75N65DM6-4

N-CHANNEL 650 V, 33 MOHM TYP., 7

Paket/Kılıf
TO-247-4
Seri / Aile Numarası
STW75N65DM6

STW75N65DM6-4 Hakkında

STW75N65DM6-4, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilim, 75A sürekli drain akımı ve 36mΩ tipik on-direnç (Rds(on)) ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. 480W maksimum güç dağıtma kapasitesine sahiptir. Gate charge 118nC, threshold gerilim 4.75V'tur. TO-247-4 paketinde sunulur ve -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Güç kaynakları, motor kontrol devreleri, şarj cihazları ve enerji dönüştürücülerinde yaygın olarak uygulanmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 75A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5700 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-247-4
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 480W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 36mOhm @ 37.5A, 10V
Supplier Device Package TO-247-4
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.75V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok