Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STW72N60DM2AG

MOSFET N-CH 600V 66A TO247

Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
STW72N60DM2

STW72N60DM2AG Hakkında

STW72N60DM2AG, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 66A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmaktadır. TO-247-3 paketinde sunulan bileşen, 42mOhm maksimum on-direnç (Rds On) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. Gate charge 121nC olarak belirlenmiş olup, anahtarlama uygulamalarında hızlı komütasyon gerektiren devreler için uygundur. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu MOSFET, elektrik dönüştürücüler, enerji yönetim sistemleri, motor kontrol devreleri ve indüktif yük anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 446W maksimum güç tüketimi ile yüksek güç yoğunluklu tasarımlara uyumludur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 66A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5508 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 446W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 42mOhm @ 33A, 10V
Supplier Device Package TO-247-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok