Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STW70N60DM2

MOSFET N-CH 600V 66A TO247

Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
STW70N60DM2

STW70N60DM2 Hakkında

STW70N60DM2, STMicroelectronics tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 66A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu bileşen, yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan transistör, 42mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Gate charge değeri 121nC olup, 10V kontrol gerilimi ile çalışır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Endüstriyel güç dönüştürücüler, invertörler, motor sürücüleri ve enerji yönetim sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. Düşük kapasitans ve hızlı anahtarlama özelliği sayesinde verimli tasarımlar mümkün kılar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 66A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5508 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 446W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 42mOhm @ 33A, 10V
Supplier Device Package TO-247-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok