Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STW65N65DM2AG
MOSFET N-CH 650V 60A TO247
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STW65N65DM2
STW65N65DM2AG Hakkında
STW65N65DM2AG, STMicroelectronics tarafından üretilen N-kanal MOSFET transistörüdür. 650V drain-source voltajı ve 60A sürekli drain akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-247-3 pakette sunulan bu bileşen, 50mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. Endüstriyel şebeke, fotovoltaik inverterler, UPS sistemleri ve motor sürücüleri gibi enerji dönüştürme uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. ±25V gate voltajı aralığında çalışabilen transistör, -55°C ile +150°C arasındaki geniş sıcaklık aralığında stabil performans sunar. 120nC gate charge ve 5500pF input capacitance değerleri hızlı anahtarlama işlemleri için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 120 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5500 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 446W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok