Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STW60NE10

MOSFET N-CH 100V 60A TO247-3

Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
STW60NE10

STW60NE10 Hakkında

STW60NE10, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) olup, 100V drain-source gerilimi ve 60A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. TO-247-3 paketinde sunulan bu transistör, 22mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. ±20V gate gerilimi aralığında çalışabilen ve 185nC gate charge ile hızlı komütasyon sağlayan bu bileşen, güç denetim devrelerinde, motor kontrol uygulamalarında, invertör tasarımlarında ve yüksek akım anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 175°C maksimum junction sıcaklığında ve 180W maksimum güç tüketiminde stabil çalışma özelliği bulunmaktadır. Bileşen üretimi sonlandırılmış (obsolete) durumda olup, yeni tasarımlarda alternatif modeller kullanılması önerilmektedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 60A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5300 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 175°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package TO-247-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok