Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STW58N65DM2AG
MOSFET N-CH 650V 48A TO247
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STW58N65DM2
STW58N65DM2AG Hakkında
STW58N65DM2AG, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 650V drain-source gerilim ve 48A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. TO-247-3 paketinde sunulan bu transistör, yüksek voltaj uygulamalarında anahtar görevi üstlenir. 65mOhm maksimum on-state direnç (Rds On) ile verimli güç transferi sağlar. Güç dönüştürücüler, motor kontrol devreleri, enerji yönetim sistemleri ve endüstriyel anahtar uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu bileşen, 360W'a kadar güç tüketebilir ve 88nC gate charge ile hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 48A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 88 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4100 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 360W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65mOhm @ 24A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok