Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STW55NM60N

MOSFET N-CH 600V 51A TO247-3

Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
STW55NM60N

STW55NM60N Hakkında

STW55NM60N, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 25°C'de 51A sürekli drenaj akımı ve maksimum 350W güç tüketebilme kapasitesine sahiptir. 10V gate geriliminde 60mOhm on-state direnci ile düşük kayıplar sağlar. TO-247-3 paketinde sunulan bu transistör, endüstriyel güç kontrol devreleri, motor sürücüleri, anahtarlama güç kaynakları (SMPS) ve RF amplifikatörleri gibi uygulamalarda kullanılır. 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilir. Ürün şu anda üretimi durdurulmuş (Obsolete) olup, stok malzeme olarak temin edilebilmektedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 51A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5800 pF @ 50 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 350W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 25.5A, 10V
Supplier Device Package TO-247-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok