Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STW50N65DM6

MOSFET N-CH 650V 33A TO247-3

Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
STW50N65DM6

STW50N65DM6 Hakkında

STW50N65DM6, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 650V drain-source gerilimi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 33A sürekli dren akımı ve 91mOhm RDS(on) değeri ile enerji dönüşüm devrelerinde verimli çalışma sağlar. Gate charge 52.5nC @ 10V'tur. TO-247-3 paketinde sunulan bu transistör, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, switched-mode power supplies (SMPS) ve endüstriyel enerji yönetimi uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve maksimum 250W güç dissipasyonu yapabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 33A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 52.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 52500 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 91mOhm @ 16.5A, 10V
Supplier Device Package TO-247 Long Leads
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.75V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok