Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STW3N170

MOSFET N-CH 1700V 2.6A TO247-3

Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
STW3N170

STW3N170 Hakkında

STW3N170, STMicroelectronics tarafından üretilen yüksek voltaj N-Channel MOSFET transistörüdür. 1700V drain-source gerilimi ve 2.6A sürekli dren akımı ile tasarlanmış olup, 10V gate sürücü voltajında maksimum 13Ohm on-direnç sağlar. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç dönüştürme uygulamalarında, anahtarlama devrelerinde ve yüksek voltaj güç elektronikleri sistemlerinde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen, 44nC gate charge ve 1100pF input kapasitansı özellikleriyle endüstriyel uygulamalar, photovoltaic inverterleri, motor kontrol devreleri ve güç kaynakları tasarımlarında yer alır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.6A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1700 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1100 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 160mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13Ohm @ 1.3A, 10V
Supplier Device Package TO-247-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok