Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STW36N55M5

MOSFET N-CH 550V 33A TO247

Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
STW36N55M5

STW36N55M5 Hakkında

STW36N55M5, STMicroelectronics tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 550V drain-source gerilim ve 33A sürekli drain akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 80mΩ drain-source on-direnci (Rds On) ve 62nC gate yükü ile anahtarlama hızı ve enerji verimliliği dengelenmiştir. TO-247-3 paketinde monte edilen bu bileşen, endüstriyel güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve enerji dönüştürme sistemlerinde uygulanır. Maksimum 150°C çalışma sıcaklığında 190W güç disipasyonu kapasitesine sahiptir. ±25V gate gerilim aralığında çalışan bu transistör, 10V drive geriliminde tam özellikleri gösterir. Not: Bu ürün discontinued (üretimi durdurulmuş) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 33A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 550 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2950 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 190W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80mOhm @ 16.5A, 10V
Supplier Device Package TO-247-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok