Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STW26N60M2
MOSFET N-CH 600V 20A TO247
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STW26N60M2
STW26N60M2 Hakkında
STW26N60M2, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilim kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmaya uygun hale getirilmiştir. 20A sürekli dren akımı ve 169W maksimum güç tüketimi ile güç anahtarlama devrelerinde yer alır. TO-247-3 kapsülle sunulan komponent, 165mOhm maksimum RDS(on) değeri ile iletim kayıplarını düşük tutarak verimli çalışma sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında endüstriyel ve ticari uygulamalarda, invertör devreleri, konvertörler ve motor kontrolü sistemlerinde tercih edilir. 34nC gate charge değeri hızlı anahtarlama özelliği sunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 34 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1360 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 169W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 165mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok