Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STW20NM65N

MOSFET N-CH 650V 19A TO247-3

Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
STW20NM65N

STW20NM65N Hakkında

STW20NM65N, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 650V drain-source gerilimi ve 19A sürekli drain akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama devreleri, güç dönüştürücüler, invertörler ve motor sürücü uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 190mΩ maksimum on-resistance değeri ile enerji verimliliği sağlar. 70nC gate charge ve 2500pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama performansı sunar. -55°C ile 150°C çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilir. 160W maksimum güç dissipasyonu kapasitesi vardır. Through-hole montaj tipi ile PCB'ye direkt entegre edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 19A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2500 pF @ 50 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 160W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190mOhm @ 9.5A, 10V
Supplier Device Package TO-247-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok