Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STW19NM65N

MOSFET N-CH 650V 15.5A TO247-3

Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
STW19NM65N

STW19NM65N Hakkında

STW19NM65N, STMicroelectronics tarafından üretilen 650V N-channel MOSFET transistördür. TO-247-3 paketinde sunulan bu komponent, 15.5A sürekli dren akımı ve 270mOhm maksimum RDS(on) değeri ile güç dönüştürme uygulamalarında kullanılır. 10V drive voltajında çalışan transistör, 55nC gate charge ve 150W maksimum güç tüketimi ile endüstriyel anahtarlama devreleri, AC/DC güç kaynakları, inverter uygulamaları ve motor kontrol sistemlerinde yer alır. ±25V maksimum gate-source voltajı ile geniş çalışma aralığında güvenli işletim sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 15.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1900 pF @ 50 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 270mOhm @ 7.75A, 10V
Supplier Device Package TO-247-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok