Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STW19NM60N
MOSFET N-CH 600V 13A TO247
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STW19NM60N
STW19NM60N Hakkında
STW19NM60N, STMicroelectronics tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source gerilimi ve 13A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmaya uygun tasarlanmıştır. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç kaynakları, motor kontrol sistemleri ve inverter uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 285mOhm maksimum Rds(On) değeri ile enerji kaybı kontrol edilebilir seviyelerde tutulur. -55°C ile +150°C arası çalışma sıcaklığı aralığı geniş uygulama ortamlarında kullanım sağlar. 35nC gate charge değeri hızlı anahtarlama performansını destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1000 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 110W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 285mOhm @ 6.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok