Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STW19NM50N
MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STW19NM50N
STW19NM50N Hakkında
STW19NM50N, STMicroelectronics tarafından üretilen N-kanallı MOSFET transistördür. 500V drain-source gerilimi (Vdss) ve 14A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama güç devrelerinde, DC-DC dönüştürücülerde, motor kontrol uygulamalarında ve güç kaynağı tasarımlarında yer alır. 250mΩ maksimum drain-source direnci (10V gate geriliminde) ve 110W maksimum güç dağılımı ile etkin şekilde çalışır. ±25V gate gerilimi aralığında işletilir. Maksimum çalışma sıcaklığı 150°C'dir. Kütüphanelerde yerleşik bileşen olarak kullanıldığında yüksek gerilim ve akım değerleri gerektiren tasarımlara uygun bir seçenektir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 14A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 34 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1000 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 110W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250mOhm @ 7A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok