Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STW18NK80Z

MOSFET N-CH 800V 19A TO247-3

Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
STW18NK80Z

STW18NK80Z Hakkında

STW18NK80Z, STMicroelectronics tarafından üretilen N-kanallı güç MOSFET transistörüdür. 800V dren-kaynak gerilimi ve 19A sürekli dren akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-247-3 paketinde sunulan bu komponent, 380mΩ (10A, 10V) dren-kaynak direnci ile anahtarlama devrelerinde, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve motor kontrol uygulamalarında yer alır. 250nC gate charge ve 6100pF input capacitance parametreleri hızlı anahtarlama ve düşük gate drive gereksinimleri sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışan bu transistör, 350W güç yayılımı kapasitesine sahiptir. ±30V gate-source gerilimi ve 4.5V threshold voltajı ile geniş uygulamalar yelpazesine uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 19A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6100 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 350W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 380mOhm @ 10A, 10V
Supplier Device Package TO-247-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 150µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok