Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STW12NK60Z

MOSFET N-CH 600V 10A TO247-3

Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
STW12NK60Z

STW12NK60Z Hakkında

STW12NK60Z, STMicroelectronics tarafından üretilen N-channel güç MOSFETidir. 600V dren-kaynak gerilim (Vdss) ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 25°C'de 10A sürekli dren akımı kapasitesi ve 150W maksimum güç tüketimi özelliğine sahiptir. TO-247-3 paketinde sunulan bu transistör, 10V kapı gerilimi ile 640mOhm (5A, 10V) on-direnci değerine ulaşır. Endüstriyel güç dönüştürücüler, anahtarlama kaynakları (SMPS) ve yüksek gerilim arayüzü uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. ±30V maksimum kapı-kaynak gerilimi ve 59nC kapı yükü özellikleri ile hızlı anahtarlama operasyonları gerçekleştirebilir. Through-hole montaj tipi ile PCB'ye doğrudan entegre edilebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1740 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 640mOhm @ 5A, 10V
Supplier Device Package TO-247-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 100µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok