Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STW11NM80
MOSFET N-CH 800V 11A TO247-3
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STW11NM80
STW11NM80 Hakkında
STW11NM80, STMicroelectronics tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 800V drain-source voltaj (Vdss) ve 11A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. TO-247-3 paketinde sunulan bu komponent, yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 10V gate sürücü voltajında 400mΩ maksimum on-resistance değerine sahiptir. 43.6nC gate charge ve 1630pF input capacitance özellikleriyle hızlı komütasyon performansı sağlar. -65°C ile +150°C arasında çalışabilir ve 150W güç dissipasyonuna dayanıklıdır. Endüstriyel güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve enerji dönüştürme sistemlerinde yaygın olarak uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 43.6 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1630 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400mOhm @ 5.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok