Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STW11NB80
MOSFET N-CH 800V 11A TO247-3
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STW11NB80
STW11NB80 Hakkında
STW11NB80, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 800V drain-source voltaj ve 11A sürekli drain akım kapasitesine sahiptir. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate voltajında 800mOhm'luk düşük on-state direnci (RDS-on) ile karakterizedir. 70nC gate charge ve 2900pF input kapasitansi değerleriyle hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. Maksimum 190W güç yayınlayabilen cihaz, 150°C üst çalışma sıcaklığında tasarlanmıştır. Yüksek voltajlı anahtarlama, güç dönüştürme, motor kontrolü ve enerji yönetimi uygulamalarında kullanılır. Cihazın obsolete (üretimi durdurulmuş) durumda olduğu unutulmamalıdır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 70 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2900 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 190W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 800mOhm @ 5.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok