Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STW10NK80Z

MOSFET N-CH 800V 9A TO247-3

Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
STW10NK80Z

STW10NK80Z Hakkında

STW10NK80Z, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 800V drain-source gerilimi ve 9A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, 10V drive voltajında 900mΩ maksimum on-resistance değerine sahiptir. Gate charge karakteristiği 72nC@10V olup, input kapasitansi 2180pF@25V'dir. İş sıcaklığı aralığı -55°C ile +150°C arasındadır. Anahtarlama uygulamaları, güç dönüştürücüler, motor sürücüleri ve indüktif yük kontrolü gibi alanlarda yaygın olarak tercih edilir. Maksimum 160W güç disipasyonu kapasitesine sahip aktif bir komponendir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2180 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 160W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 900mOhm @ 4.5A, 10V
Supplier Device Package TO-247-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 100µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok