Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STV160NF02LAT4
MOSFET N-CH 20V 160A 10POWERSO
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STV160NF02LAT
STV160NF02LAT4 Hakkında
STMicroelectronics STV160NF02LAT4, N-channel MOSFET transistör olup 20V drain-source gerilimi ve 160A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. PowerSO-10 yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, 2.7mOhm düşük RDS(on) değeri ile güç yönetimi, motor sürücüleri, anahtarlama güç kaynakları ve enerji dönüştürme uygulamalarında kullanılır. 175°C maksimum çalışma sıcaklığı ve 210W güç saçılımı kapasitesi ile endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında tercih edilir. Maksimum gate gerilimi ±15V, threshold gerilimi 1V @ 250µA'dır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 160A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 175 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5500 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerSO-10 Exposed Bottom Pad |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 210W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.7mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | 10-PowerSO |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±15V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok