Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STU9N60M2
MOSFET N-CH 600V 5.5A IPAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STU9N60M2
STU9N60M2 Hakkında
STU9N60M2, STMicroelectronics tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ile yüksek voltajlı uygulamalarda kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 5.5A sürekli dren akımı kapasitesine sahip olan bu bileşen, 60W maksimum güç tüketebilir. TO-251 (IPAK) paketinde sunulan STU9N60M2, düşük on-dirençi (780mOhm @ 3A, 10V) ile enerji verimliliği sağlar. Güç dönüştürücüleri, anahtarlama devreleri, inverterler ve endüstriyel kontrol uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 150°C maksimum çalışma sıcaklığı ile güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 320 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 60W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 780mOhm @ 3A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-251 (IPAK) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok