Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STU9HN65M2
MOSFET N-CH 650V 5.5A IPAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STU9HN65M2
STU9HN65M2 Hakkında
STU9HN65M2, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 650V drain-source gerilimi ve 5.5A sürekli drain akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-251 (IPAK) paketinde sunulan bu transistör, 10V gate drive voltajında 820mOhm maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama performansı sağlar. 11.5nC gate charge ve 325pF input kapasitans karakteristikleri hızlı komutasyon gerektiren devrelerde tercih edilir. Maksimum 60W güç tüketim kapasitesi ile AC-DC konvertörleri, motor kontrol devreleri ve güç yönetimi uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Çiptin maksimum çalışma sıcaklığı 150°C'dir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 325 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 60W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 820mOhm @ 2.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-251 (IPAK) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok