Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STU8NM60ND
MOSFET N-CH 600V 7A IPAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STU8NM60ND
STU8NM60ND Hakkında
STU8NM60ND, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V dren-kaynak gerilimi (Vdss) ve 7A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. 10V kapı sürme geriliminde 700mOhm maksimum RDS(on) direnci sunar. TO-251 (IPAK) paketinde sunulan bu bileşen, güç dönüştürücüleri, anahtarlama devreleri ve motor sürücü uygulamalarında kullanılmaktadır. 150°C maksimum işletme sıcaklığı ve 70W güç saçılması kapasitesi ile düşük-orta güçlü endüstriyel uygulamalar için uygundur. ±30V maksimum kapı-kaynak gerilimi koruması sunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 560 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 70W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 700mOhm @ 3.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-251 (IPAK) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok