Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STU8N65M5

MOSFET N-CH 650V 7A IPAK

Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
STU8N65M5

STU8N65M5 Hakkında

STU8N65M5, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilimi ve 7A sürekli drain akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-251 (IPAK) paketinde sunulan bu bileşen, 600mΩ maksimum on-state direnci ile enerji verimliliği sağlar. Maksimum 150°C çalışma sıcaklığında ve 70W güç disipasyonunda tasarlanmıştır. Endüstriyel güç dönüştürme, motor kontrol, aydınlatma uygulamaları ve anahtarlama devreleri gibi alanlarda tercih edilir. Gate charge 15nC @ 10V olup hızlı komütasyon özellikleri sunar. Not: Bu ürün yaşlanmış (obsolete) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 690 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 70W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 3.5A, 10V
Supplier Device Package TO-251 (IPAK)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok