Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STU80N4F6

MOSFET N-CH 40V 80A TO251

Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
STU80N4F6

STU80N4F6 Hakkında

STU80N4F6, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel güç MOSFET'idir. 40V drain-source gerilimi ve 80A sürekli drain akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında anahtarlama işlemleri gerçekleştirmek için tasarlanmıştır. TO-251 (IPak) paketine sahip bu transistör, 6.3mOhm'luk düşük RDS(on) değeri sayesinde enerji kayıplarını minimize eder. Gate gerilimi ±20V aralığında çalışır ve 36nC gate şarjı ile hızlı anahtarlama sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans sunar. DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılır. Bileşen artık üretilmemektedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 80A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2150 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 70W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.3mOhm @ 40A, 10V
Supplier Device Package TO-251 (IPAK)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok