Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STU7NM60N
MOSFET N-CH 600V 5A IPAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STU7NM60N
STU7NM60N Hakkında
STU7NM60N, STMicroelectronics tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source gerilimi ve 5A sürekli drain akımı ile tasarlanmış olan bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama işlemleri için kullanılır. TO-251 (IPAK) paketinde sunulan transistör, 45W maksimum güç tüketimine sahiptir. Rds(on) değeri 10V gate geriliminde 900mOhm olup, hızlı anahtarlama karakteristiği ile inverter devreleri, güç kaynakları, motor kontrol üniteleri ve indüktif yüklerin sürülmesi gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 363 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 45W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900mOhm @ 2.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-251 (IPAK) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok