Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STU7N65M6

MOSFET N-CH 650V 5A IPAK

Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
STU7N65M6

STU7N65M6 Hakkında

STU7N65M6, STMicroelectronics tarafından üretilen N-kanal MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilim ve 5A sürekli dren akımı kapasitesine sahip olup, güç dönüştürme uygulamalarında, anahtarlama devreleri ve AC/DC konvertörlerde kullanılır. TO-251 (IPAK) paket tipi ile uygun ısıl yönetim sağlar. 10V gate sürücü geriliminde 990mΩ maksimum on-direnci ve 6.9nC gate charge değerleriyle karakterizedir. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 220 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 990mOhm @ 2.5A, 10V
Supplier Device Package I-PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.75V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok