Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STU7N65M2

MOSFET N-CH 650V 5A IPAK

Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
STU7N65M2

STU7N65M2 Hakkında

STU7N65M2, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source voltajı ve 5A sürekli drain akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 1.15Ω maksimum on-resistance değeri ile verimli güç kontrolü sağlar. TO-251 (IPAK) paketlemesi ile termal yönetimi kolaylaştırılmıştır. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu bileşen, anahtarlama güç kaynakları, motor kontrol devreleri, UPS sistemleri ve elektrik dönüştürücü uygulamalarında tercih edilir. 60W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile orta güç seviyesindeki tasarımlara uygundur. ±25V gate voltajı ve düşük gate charge (9nC) hızlı anahtarlama performansı sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 270 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.15Ohm @ 2.5A, 10V
Supplier Device Package TO-251 (IPAK)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok