Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STU7N60M2
MOSFET N-CH 600V 5A IPAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STU7N60M2
STU7N60M2 Hakkında
STU7N60M2, STMicroelectronics tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source gerilimi ve 5A sürekli drain akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-251 (IPAK) paketinde sunulan bu bileşen, güç anahtarlama devreleri, DC-DC konvertörleri, motor sürücüleri ve enerji dönüştürme sistemlerinde yaygın olarak yer almaktadır. 950mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli çalışma sağlar. -55°C ile 150°C arasında güvenilir performans sunan transistör, endüstriyel ve tüketici uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.8 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 271 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 60W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 950mOhm @ 2.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-251 (IPAK) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok