Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STU7N60DM2
MOSFET N-CH 600V 6A IPAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STU7N60DM2
STU7N60DM2 Hakkında
STU7N60DM2, STMicroelectronics tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 6A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-251 (IPAK) paketinde sunulan bu transistör, 10V gate sürüş geriliminde 900mΩ maksimum RDS(on) değerine sahiptir. ±25V maksimum gate-source gerilimi ile geniş kontrol aralığı sağlar. -55°C ile 150°C işletme sıcaklık aralığında çalışabilen bu bileşen, güç dönüştürücü, anahtarlama devreleri, motor kontrol uygulamaları ve endüstriyel güç elektroniği sistemlerinde yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 324 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 60W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900mOhm @ 3A, 10V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.75V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok