Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STU6N65M2-S
MOSFET N-CH 650V 4A IPAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STU6N65M2
STU6N65M2-S Hakkında
STU6N65M2-S, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilim ve 4A sürekli drain akımı ile çalışan bu bileşen, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-251-3 (IPAK) pakette sunulan transistör, -55°C ile 150°C arasında çalışır. 10V kapı geriliminde 1.35Ω maksimum RDS(On) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 60W güç tüketim kapasitesi ve 9.8nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama işlemlerine uygun bir bileşendir. LED sürücüler, motor kontrol devreleri, güç kaynakları ve endüstriyel dönüştürücü uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.8 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 226 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 60W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.35Ohm @ 2A, 10V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok