Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STU6N65M2
MOSFET N-CH 650V 4A IPAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STU6N65M2
STU6N65M2 Hakkında
STU6N65M2, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 650V drain-source gerilimi ve 4A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. TO-251 (IPAK) paketinde sunulan bu bileşen, yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Maksimum 1.35Ω on-resistance değeri ile verimli güç dönüştürme sağlar. -55°C ile +150°C arası çalışma sıcaklığında stabil performans gösterir. AC adaptörler, SMPS, inverter devreleri ve endüstriyel güç yönetimi uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 60W güç tüketimi kapasitesi ile orta yüklü uygulamalara uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.8 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 226 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 60W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.35Ohm @ 2A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-251 (IPAK) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok