Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STU6N65K3

MOSFET N-CH 650V 5.4A IPAK

Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
STU6N65K3

STU6N65K3 Hakkında

STU6N65K3, STMicroelectronics tarafından üretilen yüksek voltaj N-Channel MOSFET transistörüdür. 650V drain-source gerilimi ve 5.4A sürekli akım kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-251 (IPAK) paketinde sunulan bu transistör, 1.3Ω maksimum on-state direncine (Rds On) ve 110W güç dağıtım kapasitesine sahiptir. 33nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama özelliği sunar. Endüstriyel uygulamalar, güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve high-voltage switching uygulamalarında tercih edilir. Maksimum junction sıcaklığı 150°C'dir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.4A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 880 pF @ 50 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.3Ohm @ 2.7A, 10V
Supplier Device Package TO-251 (IPAK)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok