Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STU6N60M2

MOSFET N-CH 600V 4.5A IPAK

Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
STU6N60M2

STU6N60M2 Hakkında

STU6N60M2, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilim ve 4.5A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. 1.2Ω maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. TO-251 (IPAK) paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi, AC/DC konverterler, motor kontrol devreleri ve induktif yük anahtarlaması gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenli işletme imkanı sunmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 232 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 2.25A, 10V
Supplier Device Package TO-251 (IPAK)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok