Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STU60N55F3

MOSFET N-CH 55V 80A IPAK

Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
STU60N55F3

STU60N55F3 Hakkında

STU60N55F3, STMicroelectronics tarafından üretilen N-kanal MOSFET transistördür. 55V drain-source gerilimi (Vdss) ve 80A sürekli drain akımı ile güç uygulamalarında kullanılır. TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan bu bileşen, düşük on-state direnç (8.5mOhm @ 32A, 10V) sayesinde enerji verimliliğini artırır. Gate charge değeri 45nC olup, anahtarlama hızını etkiler. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve maksimum 110W güç tüketebilir. Endüstriyel güç elektronikleri, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücülerde uygulanır. Bileşen üretimi sonlandırılmıştır (Obsolete).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 80A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2200 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.5mOhm @ 32A, 10V
Supplier Device Package I-PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok