Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STU5N65M6

MOSFET N-CH 650V 4A IPAK

Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
STU5N65M6

STU5N65M6 Hakkında

STU5N65M6, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 650V drain-source gerilim ve 4A kontinü drain akımı kapasitesi ile güç elektronik uygulamaları için tasarlanmıştır. TO-251 (IPAK) SMD paketinde sunulan bu bileşen, 1.3Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahip olup, 45W maksimum güç tüketiminde kullanılabilir. Anahtarlama uygulamaları, DC-DC konvertörleri, invertörler ve AC-DC güç kaynakları gibi endüstriyel ve ticari güç yönetimi sistemlerinde kullanıma uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 170 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.3Ohm @ 2A, 10V
Supplier Device Package TO-251 (IPAK)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.75V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok