Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STU4N52K3

MOSFET N-CH 525V 2.5A IPAK

Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
STU4N52K3

STU4N52K3 Hakkında

STU4N52K3, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 525V drain-source gerilimi ve 2.5A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 10V gate sürüş geriliminde 2.6Ω maksimum RDS(on) değerine sahiptir. 334 pF input kapasitansı ve 11 nC gate yükü ile hızlı anahtarlama özellikleri sunar. TO-251-3 (IPAK) paketlemesiyle Through Hole montajına uygun olup, endüstriyel güç kontrol devreleri, motor sürücüleri, anahtar modlu güç kaynakları ve yüksek voltaj dönüştürücülerinde uygulanır. Maksimum 150°C bağlantı sıcaklığında ve 45W güç tüketiminde çalışabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 525 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 334 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.6Ohm @ 1.25A, 10V
Supplier Device Package I-PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok