Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STU3N65M6

MOSFET N-CH 650V 3.5A IPAK

Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
STU3N65M6

STU3N65M6 Hakkında

STU3N65M6, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilimi (Vdss) ve 3.5A sürekli drenaj akımı (Id) kapasitesiyle tasarlanmıştır. TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 1.5Ω on-resistance değeriyle (10V gate geriliminde, 1.75A akımda) çalışır. Gate charge karakteristiği 6nC olup, input kapasitansi 150pF'dir. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilir ve maksimum 45W güç tüketebilir. Yüksek voltaj uygulamalarında, güç kaynağı kontrolü, motor sürücüleri ve endüstriyel switching devrelerinde kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 150 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 1.75A, 10V
Supplier Device Package I-PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.75V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok