Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STU1HN60K3
MOSFET N-CH 600V 1.2A IPAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STU1HN60K3
STU1HN60K3 Hakkında
STU1HN60K3, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source voltaj değeri ve 1.2A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-251 (IPAK) paketinde sunulan bu komponent, 10V kapı sürüş voltajında 8Ohm maksimum RDS(on) değerine sahiptir. 9.5nC gate charge ve 140pF input capacitance özellikleri hızlı anahtarlama işlemlerini mümkün kılar. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilen cihaz, güç dönüştürücüleri, anahtarlamalı güç kaynakları, motor sürücüleri ve ağır yük anahtarlama uygulamalarında kullanılır.Through hole montajı ile PCB'ye doğrudan lehimlenir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 140 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 27W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8Ohm @ 600mA, 10V |
| Supplier Device Package | TO-251 (IPAK) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 50µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok