Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STU13N65M2

MOSFET N-CH 650V 10A IPAK

Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
STU13N65M2

STU13N65M2 Hakkında

STU13N65M2, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilimi ve 10A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. 430mΩ @ 5A, 10V maximum on-resistance değeri ile verimli anahtarlama sağlar. TO-251 (IPAK) paketinde sunulan bu komponent, anahtarlama güç kaynakları, motor kontrol devreleri, enerji dönüştürme sistemleri ve endüstriyel elektronik uygulamalarında tercih edilir. 150°C çalışma sıcaklığı ve 110W maksimum güç harcaması derecesi ile güvenilir performans sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 590 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 430mOhm @ 5A, 10V
Supplier Device Package TO-251 (IPAK)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok