Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STU13N60M2

MOSFET N-CH 600V 11A IPAK

Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
STU13N60M2

STU13N60M2 Hakkında

STU13N60M2, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 11A sürekli drain akımı kapasitesiyle yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 380mOhm maksimum RDS(on) değeri ile enerji kaybını minimize eder. TO-251 (IPAK) paketinde sunulan bu bileşen, güç kaynakları, inverterler, motor kontrol devreleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve maksimum 110W güç tüketebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 580 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 380mOhm @ 5.5A, 10V
Supplier Device Package TO-251 (IPAK)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok