Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STU12N65M5

MOSFET N-CH 650V 8.5A IPAK

Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
STU12N65M5

STU12N65M5 Hakkında

STU12N65M5, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 650V drain-source gerilimi ve 8.5A sürekli drenaj akımı ile yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-251 (IPAK) paketinde sunulan bu bileşen, 430mOhm maksimum kanal direnci (Rds On) ile verimli güç yönetimi sağlar. İletişim, endüstriyel kontrol, güç kaynakları ve motor sürücü devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. Maksimum 150°C çalışma sıcaklığına ve 70W güç tüketim kapasitesine sahiptir. ±25V gate gerilim aralığında çalışabilen bu MOSFET, 22nC gate yükü ile hızlı anahtarlama özellikleri sunar. Not: Ürün obsolete (üretimi durdurulmuş) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 900 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 70W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 430mOhm @ 4.3A, 10V
Supplier Device Package TO-251 (IPAK)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok