Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STU12N60M2

MOSFET N-CH 600V 9A IPAK

Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
STU12N60M2

STU12N60M2 Hakkında

STU12N60M2, STMicroelectronics tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-251 (IPAK) paketinde sunulan bu bileşen, 9A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. 450mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim direnci sağlar. Geniş sıcaklık aralığında (-55°C ~ 150°C) çalışabilir. Yüksek voltaj uygulamalarında, anahtarlama devreleri, dc-dc konvertörleri ve elektrik motor kontrolü gibi alanlarda kullanılır. 16nC gate charge değeri hızlı komütasyonu destekler. 85W maksimum güç dağılımı kapasitesiyle endüstriyel ve ticari uygulamalara uygun bir çözümdür.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 538 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 85W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 450mOhm @ 4.5A, 10V
Supplier Device Package TO-251 (IPAK)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok