Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STU11NM60ND
MOSFET N-CH 600V 10A IPAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STU11NM60ND
STU11NM60ND Hakkında
STU11NM60ND, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 10A sürekli dren akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-251-3 (IPAK) paketinde sunulan bu transistör, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, anahtarlama uygulamaları ve koruma devrelerinde tercih edilir. 450mΩ maksimum RDS(on) değeri ile enerji verimliliği sağlar. 90W maksimum güç tüketimi kapasitesine sahiptir. Junction sıcaklığı 150°C'ye kadar çalışabilir. ±25V maksimum gate-source gerilimi ile geniş kontrol aralığı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 850 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 90W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok