Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STU11N65M2
MOSFET N-CH 650V 7A IPAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STU11N65M2
STU11N65M2 Hakkında
STU11N65M2, STMicroelectronics tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilim kapasitesi ve 7A sürekli drain akımı ile çalışmak üzere tasarlanmıştır. TO-251 (IPAK) paketinde sunulan bu bileşen, güç elektronikleri uygulamalarında anahtar elemanı olarak kullanılır. Düşük 670mOhm on-resistance değeri ile enerji kaybını minimuma indirir. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 150°C) sayesinde endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında, DC-DC konvertörlerde, anahtarlama güç kaynakları (SMPS) tasarımlarında ve yüksek gerilim davlı sistemlerde tercih edilir. 85W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile orta ila yüksek güç uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 410 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 85W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 670mOhm @ 3.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-251 (IPAK) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok