Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STU10NM65N
MOSFET N-CH 650V 9A IPAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STU10NM65N
STU10NM65N Hakkında
STU10NM65N, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilim ve 9A sürekli drain akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında anahtarlama görevini yerine getirir. TO-251 (IPAK) SMD paketinde sunulan bu bileşen, 480mΩ maksimum gate kapalı direnci ile düşük enerji kaybı sağlar. 150°C çalışma sıcaklığı ve 90W maksimum güç tüketimi değerleri ile güç dönüştürücüleri, DC-DC konvertörleri, inverterler ve endüstriyel kontrol sistemlerinde kullanılır. Gate yükü 25nC ve giriş kapasitansi 850pF olarak belirtilmiştir. Bileşen şu anda üretimi durdurulmuş (Obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 850 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 90W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 480mOhm @ 4.5A, 10V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok