Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STU10NM60N

MOSFET N-CH 600V 10A IPAK

Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
STU10NM60N

STU10NM60N Hakkında

STU10NM60N, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source voltaj ve 10A sürekli dren akımı kapasitesiyle güç uygulamalarında kullanılır. TO-251 (IPAK) paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama ve güç yönetimi devrelerinde, switch mode güç kaynakları (SMPS), motor kontrol uygulamaları ve yüksek voltaj anahtarlama devreleri gibi alanlarda yaygın olarak yer alır. 550mΩ maksimum on-state direnci (Rds On) ve 70W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında tercih edilmektedir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı ile güvenilir performans sunmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 540 pF @ 50 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 70W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 550mOhm @ 4A, 10V
Supplier Device Package TO-251 (IPAK)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok