Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STU10N60M2
MOSFET N-CH 600V 7.5A IPAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STU10N60M2
STU10N60M2 Hakkında
STU10N60M2, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 7.5A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 85W güç yayılımı ile tasarlanmış olan bu bileşen, maksimum 600mΩ on-state direnci sağlar. TO-251 IPAK paketinde sunulan STU10N60M2, endüstriyel uygulamalar, güç denetim devreleri, anahtarlama uygulamaları ve AC-DC güç kaynakları gibi alanlarda kullanılır. Geniş çalışma sıcaklığı aralığı (-55°C ile 150°C arası) sayesinde değişken ortam koşullarında güvenilir performans sunar. Yüksek voltaj uygulamaları için tercih edilen bir çözümdür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 400 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 85W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 3A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-251 (IPAK) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok